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-SiC crystals during helium and hydrogen dual-ion irradiations北條 喜一; 古野 茂実; 櫛田 浩平; 大津 仁; 出井 数彦*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 91, p.534 - 539, 1994/00
被引用回数：6 パーセンタイル：57.17(Instruments & Instrumentation)水素とヘリウムイオンを-SiC結晶に照射し、その構造変化を400kV電顕でその場観察した。その結果、水素、ヘリウムイオン照射とも、
-SiC結晶に比較して非晶質化に必要な損傷量が約半分の0.4dpaであることがわかった。又、バブルの発生・成長は、-SiC結晶に比較して早く、特に粒界での成長は粒内の成長に比較して数倍早いことを見い出した。この違いは粒界に含まれる焼結補助材の影響と考えられる。
塚本 哲生*; 北條 喜一; 古野 茂実; 大津 仁; 出井 数彦*
真空, 36(7), p.603 - 609, 1993/00
この論文は原研に設置されている二重イオン照射分析電子顕微鏡のイオン照射部について、設計の立場から精細に記されたものである。特に、電子顕微鏡のもっている性能を落とすことなく、大イオン電流を試料室内に導入するための工夫がのべられている。
and H
dual-ion beam irradiation古野 茂実; 北條 喜一; 出井 数彦*; 神垣 信生*; 小野 興太郎*; 紀 隆雄*
Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1219 - 1223, 1992/00
被引用回数：2 パーセンタイル：27.49(Materials Science, Multidisciplinary)ヘリウムおよび水素イオンの同時照射下におけるAlの損傷の挙動をイオン導入型多機能分析電顕を用いて、その場観察した。同時照射の場合、He単独照射およびHに続いてHeの個別連続照射に比べて、バブルの成長が著しく促進されることを観察し、He照射のもとで、同時に注入するHの移動がバブルの成長に寄与することを明らかにした。
古野 茂実; 北條 喜一; 大津 仁; 出井 数彦*; 佐々木 貞吉; 塚本 哲生*; 畑 喬雄*
Electron Microscopy 1990,Vol. 4, p.538 - 539, 1990/00
核融合炉材料の照射損傷をシミュレートする目的で、二重イオンビーム照射中の材料の損傷を連続的に観察、解析する装置を開発した。本装置は最大40keVのHからArまでのガスイオンを照射できる二組のイオン装置を400kVの電顕に付設したものである。照射中の構造変化はTVカメラによってVTRに連続的に記録され、同時分析はX線エネルギー分光器および電子エネルギー損失分光器によって行われる。この会議では、装置の仕様およびAlおよびSiCへの照射応用例を報告する。
